AMPLIFICATEURS PULSES LINEAIRES A AMPLIFICATION REPARTIE A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURSKLYARENKO AI.1980; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 5; PP. 109-112; BIBL. 6 REF.Article

GENERATEURS D'IMPULSIONS RECTANGULAIRES DE LA NANOSECONDE A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE - SEMICONDUCTEUR A AVALANCHE ET DE PUISSANCED'YAKONOV VP.1980; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 4; PP. 101-102; BIBL. 3 REF.Article

SUBTHRESHOLD RANGE OF MIS-TRANSISTOR UNDER ILLUMINATED CONDITIONSJAKUBOWSKI A; KRAWCZYK S.1978; BULL. ACAD. POLON. SCI., SCI. TECH.; POL; DA. 1978; VOL. 26; NO 10; PP. 191-197; ABS. RUS; BIBL. 6 REF.Article

INSTABILITES DE LA DUREE DE LA PERIODE DES OSCILLATIONS D'UN OSCILLATEUR A BLOCAGE A TRANSISTORS MDSBERZIN LF; YAKIMAKHA AL.1977; IZVEST. VYSSH. UCHEBN ZAVED., PRIBOROSTR.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 20; NO 8; PP. 91-94; BIBL. 5 REF.Article

GENERATEUR DE BALAYAGE RAPIDE A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET A AVALANCHED'YAKONOV VP.1981; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1981; NO 2; PP. 136-138; BIBL. 3 REF.Article

INVERSEURS DE MICROPUISSANCE A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURYAKIMAKHA AL.1980; RADIOTEKHNIKA; SUN; DA. 1980; VOL. 35; NO 1; PP. 21-25; BIBL. 12 REF.Article

TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEUR DANS LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE POUR FREQUENCES SONORES ET ULTRASONORESBACHURIN VV; D'YAKONOV VP.1980; ELEKTROSVJAZ' (MOSK., 1934); ISSN 0013-5771; SUN; DA. 1980; NO 8; PP. 52-54; BIBL. 6 REF.Article

AMPLIFICATEUR A TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE AVEC UN TEMPS D'ETABLISSEMENT DE LA NANOSECONDED'YAKONOV VP; SMERDOV V YU.1980; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 3; PP. 127-129; BIBL. 3 REF.Article

MODELISATION D'UN TRANSISTOR MIS EN REGIME DE SATURATIONFESECHKO VA; GRUDANOV NB.1978; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 21; NO 6; PP. 134-138; BIBL. 9 REF.Article

Logic performance of Si₃N₄-n GaAs quasinormally off misfetsHARRISON, A. J; SWANSON, J. G.Electronics Letters. 1985, Vol 21, Num 21, pp 976-978, issn 0013-5194Article

ETAT ET PERSPECTIVES DE LA SIMULATION MATHEMATIQUE DES CIRCUITS INTEGRES NON LINEAIRES A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURMOLCHANOV AA; VOLKOGON VP; CHERNYJ VG et al.1976; ELEKTRON. I MODELIROVAN., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 13; PP. 5-11; BIBL. 9 REF.Article

FACTORS INFLUENCING THE PERFORMANCE OF INP METAL INSULATOR/SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORSCAMERON DC; IRVING LD; WHITEHOUSE CR et al.1983; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1983; VOL. 103; NO 1-2; PP. 61-70; BIBL. 24 REF.Article

SUR LA METHODE DE DETERMINATION DE LA VALEUR ET DU PROFIL DU DOPAGE DU SUBSTRAT A PARTIR DES CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURGUZEV AA; GURTOV VA; FRANTSUZOV AA et al.1980; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1980; VOL. 9; NO 4; PP. 340-346; BIBL. 9 REF.Article

SUR L'APPROXIMATION DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION THEORIQUES D'UN TRANSISTOR METAL DIELECTRIQUE SEMICONDUCTEURBIRYUKOV VN; TULYNIN AF.1978; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., PRIBOROSTR.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 21; NO 2; PP. 88-90; BIBL. 4 REF.Article

ETAGE DIFFERENTIEL A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURDAVYDOV BV.1976; ELEKTROSUJAZ; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 9; PP. 54-58; BIBL. 6 REF.Article

PULSED FIELD EFFECT CHANNEL CURRENT TRANSIENTS IN PLASMA- ANODIZED ALUMINA/GAAS METAL/INSULATOR/SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORSLEE WS; SWANSON JG.1983; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1983; VOL. 103; NO 1-2; PP. 177-191; BIBL. 13 REF.Article

CURRENT DRIFTING BEHAVIOUR IN INP MISFET WITH THERMALLY OXIDISED INP/INP INTERFACEOKAMURA M; KOBAYASHI T.1981; ELECTRON. LETT.; ISSN 0013-5194; GBR; DA. 1981; VOL. 17; NO 25-26; PP. 941-942; BIBL. 6 REF.Article

A HIGH-SPEED MONOLITHIC INP MISFET INTEGRATED LOGIC INVERTERMESSICK LJ.1981; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1981; VOL. 28; NO 2; PP. 218-221; BIBL. 26 REF.Article

GENERATEURS D'IMPULSIONS REGENERATIFS A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEUR HAUTE FREQUENCE, DE PUISSANCED'YAKONOV VP.1980; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 4; PP. 99-101; BIBL. 4 REF.Article

SUR LA MODELISATION DES FLUCTUATIONS STATISTIQUES DE LA CHARGE SUPERFICIELLE DANS LES STRUCTURES PLANARS A EFFET DE CHAMPGORBAN AP; LITOVCHENKO VG; ROMANYUK BN et al.1977; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 26; PP. 110-114; BIBL. 11 REF.Article

ANALYSE DES PROCESSUS TRANSITOIRES DANS UN COMMUTATEUR A TRANSISTOR DE PUISSANCE METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURD'YAKONOV VP.1980; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1980; VOL. 25; NO 2; PP. 399-406; BIBL. 11 REF.Article

EFFET DE LA POLARISATION ENTRE SUPPORT ET CANAL D'UN TRANSISTOR METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEUR AU GERMANIUM SUR LA MOBILITE EFFECTIVE DES ELECTRONS.KVON ZE DON; NEIZVESTNYJ IG; OVSYUK VN et al.1978; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1978; VOL. 7; NO 4; PP. 361-365; BIBL. 10 REF.Article

THE ANODIC OXIDE OF INP AND ITS APPLICATION TO INP METAL/INSULATOR/SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORSYAMAMOTO A; SHIBUKAWA A; YAMAGUCHI M et al.1983; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1983; VOL. 103; NO 1-2; PP. 95-105; BIBL. 27 REF.Article

ALGORITHME DE TRAITEMENT DE L'INFORMATION INITIALE SUR LA STRUCTURE DU SCHEMA EQUIVALENT D'UN TRANSISTOR METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURKALNIBOLOTSKIJ YU M; KRIVTSOV VV.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1980; VOL. 24; NO 1; PP. 35-40; BIBL. 3 REF.Article

ANALYSE DE SCHEMAS DE CIRCUITS DE CONTROLE ANALOGIQUES POUR LA SEPARATION DES SIGNAUX D'INFORMATIONPUSHKAREV AI; NOVIKOV VL; ZAKHAROV IS et al.1979; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; UKR; DA. 1979; VOL. 22; NO 7; PP. 103-105; BIBL. 5 REF.Article